6月10日上午9点30～11:30，第505期同路人学术论坛于艺嘉楼210会议室成功举行。本次讲座的主题是：使用集成IGBT和SiC-MOSFET器件的单芯片应用于再生能源系统的200kW逆变器。讲座邀请了Joachim Holtz教授为大家带来了精彩的报告。

Joachim Holtz教授于1967年毕业于德国布伦瑞克工业大学，曾在马德拉斯理工学院担任控制工程实验室主任，后进入西门子研究实验室；从1976年至1998年担任伍珀塔尔大学电机与驱动实验室主任，目前是名誉教授和顾问。Joachim Holtz教授的著作包括2 篇发表在《电气和电子工程师学会论文集》（PROCEEDINGS OF THE IEEE）上的特邀论文、17 篇发表在电气和电子工程师学会期刊上的特邀论文，以及 27 篇单独撰写的电气和电子工程师学会期刊论文。Joachim Holtz教授获得过17次论文奖，与他人合著过7本书，拥有34项专利。曾获得IEEE 工业电子学会尤金-米特曼博士成就奖、IEEE 工业应用学会杰出成就奖、IEEE 电力电子学会威廉-纽厄尔现场奖、IEEE 第三个千年奖章、安东尼-霍恩费克服务奖和 IEEE 林梅金奖，是IEEE 终身会士、工业电子学会终身 AdCom 会员、IEEE 《工业电子学》杂志前任主编、IEEE 纽厄尔奖章委员会前任主席、IEEE IES Fellow 委员会前任主席、IEEE 工业电子学会杰出导师和杰出讲师。

本次报告主要介绍了新型200千瓦逆变器，其拓扑结构由1.2千伏硅IGBT和碳化硅SiC-MOSFET组合而成。它由每相十二个可控半导体器件组成，包含在两个相同的模块中，构成一个有源中性点箝位（ANPC）三电平逆变器。SiC-MOSFET 的开关频率为 48 kHz。每相的每对模块采用交错调制技术产生 96 kHz 开关频率的输出信号。因此，输出电压的谐波含量极低。IGBT 采用独特的软换向模式，从而实现了前所未有的高效率。这种布置的复杂性要求精确协调 IGBT 和 SiC-MOSFET 之间各自的换向。信号处理器的速度太慢，无法控制这一系统。为此，相关研究人员采用串联状态机。它们由 FPGA 硬件编程，并由 100 MHz 脉冲序列进行时钟控制。

最后，Joachim Holtz教授详细地解答了参会现场师生关于讲座内容的相关问题。